◆ 主要性能参数： 1.离子束能量：0.8－10kV；离子枪电流：≤3.5mA (每个离子源)；离子束密度：≥10mA/cm2 (每个离子源)；离子束半高宽：≥0.8mm (10keV)，≥2.5mm (2keV)；离子枪类型要求：散焦离子束枪 2.离子束相对样品加工角度：可依据不同的样品台调整0°－90° 3.样品台尺寸：应可容纳最大直径为3mm的样品。 ◆ 主要用途：对无机薄片样品进行离子减薄，使得薄片样品可被透射电子穿过，从而适宜TEM透射电子显微镜观察；对无机块状样品进行离子束抛光、离子束刻蚀，样品表面离子清洗及斜坡切割，便于SEM扫描电子显微镜观察样品内部结构信息。 ◆ 设备特点： 1. 可对SEM样品进行离子束抛光，样品尺寸直径≥25mm，高度≥12mm。可对SEM样品进行离子束刻蚀，突出晶界或不同组分边界。 2. 19英寸触摸屏操作界面，可设置参数及编程，实现对样品自动化离子束研磨加工，带有离子束研磨加工过程视频监控功能，便于实时观察。 3. 样品室带有预交换舱，保证样品交换时间为1分钟之内。